На информационном ресурсе применяются рекомендательные технологии (информационные технологии предоставления информации на основе сбора, систематизации и анализа сведений, относящихся к предпочтениям пользователей сети "Интернет", находящихся на территории Российской Федерации)

Монокль

602 подписчика

Свежие комментарии

  • В С
    За исключением аналогов ?! ТАК ПРИДУМАЙТЕ АНАЛОГИ !!!!!!!«Открыто» или «Op...
  • Виктор Онегин
    Что выгодно Германии, да и Европам в целом, не выгодно США.Nord Stream разре...
  • Виктор Онегин
    Германия опять найдёт  взрывателя, что бы себе по чувствительному месту садануть.Nord Stream разре...

Локализация полупроводников третьего поколения состоялась

ГК «Элемент» (СП госкорпорации «Ростех» и АФК «Система») выпустила кристаллы силовых диодов и транзисторов на основе карбида кремния.

Полупроводникам третьего поколения не страшно большое напряжение
читайте на monocle.ru

ГК «Элемент» (СП госкорпорации «Ростех» и АФК «Система») выпустила кристаллы силовых диодов и транзисторов на основе карбида кремния.

Это первый российский проект крупного серийного производства полупроводников последнего, третьего, поколения.

Такие электронные компоненты предназначены для силовой микроэлектроники, остро востребованной в связи с развитием электротранспорта и зарядной инфраструктуры. Она применяется на высокоскоростных железных дорогах, в авиастроении и в индустриальном оборудовании.

До 2030 года планируется выйти на выпуск 140 тыс. пластин в год, что позволит занять 60–70% рынка. В проект инвестировано 19,5 млрд рублей.

Полупроводники третьего поколения — на основе карбида кремния, нитрида галлия или оксида олова — отличаются так называемой большой запрещенной зоной (более 3 эВ против 1,1 эВ у первого поколения полупроводников). Через широкозонные полупроводники можно прогонять токи большей величины, прикладывать к контактам бóльшие напряжения, не рискуя сжечь прибор. Можно размещать контакты ближе друг к другу, уменьшая таким образом сопротивление прибора и, следовательно, потери энергии.

Из этого вытекает возможность уменьшить и общие габариты прибора, что актуально в эру миниатюризации электроники. Как говорят специалисты, там, где на одну задачу требовалось десять полупроводниковых устройств первого поколения, нужен один прибор такого же размера третьего поколения. К тому же карбид кремния и нитрид галлия являются тугоплавкими материалами и позволяют электронике работать при более высоких температурах.

Из первых отечественных кристаллов на основе карбида кремния в НПО «Энергомодуль» уже изготовили силовой модуль мощностью 0,5 МВт (1200/400 А). Как утверждает разработчик, модуль не уступает импортным аналогам, опытные образцы переданы для тестирования железнодорожникам, идут переговоры с представителями нефтегазовой отрасли. План — выпустить к 2030 году 100 тыс. штук. Объем спроса оценивается как минимум в несколько сотен тысяч штук в год.

Ссылка на первоисточник
наверх